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熱電偶的測溫原理
熱電偶的測溫原理是基于熱電效應。在兩種不同材料的導體或半導體A和B組成的閉合可路中，如果兩個導體A和B的連接點溫度不同，設T>T，則回路中會產生一個電動勢，即生此閉合回路中有電流產生，這種現象稱為熱電效應。
2024-10-20
熱電偶 測溫
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【泰克先進半導體實驗室】 遠山半導體發布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠山半導體 氮化鎵 功率器件
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ADALM2000實驗：變壓器
變壓器只適用于交流電(AC)。例如，變壓器會通過將電壓降低到更合適的電平來降低120V壁式功率，對于大多數消費電子產品，降至僅幾伏；對于其他低功耗應用，通常降至12V。變壓器還可以升高電壓以實現長距離傳輸，并降低電壓以實現安全配電。如果沒有變壓器，配電網絡中已經很嚴重的電力浪費將大到驚人...
2024-10-19
變壓器 電平
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意法半導體推出STM32微處理器專用高集成度電源管理芯片
意法半導體 STM32MP2 微處理器配套電源管理芯片STPMIC25 現已上市。新產品在一個便捷封裝內配備 16 個輸出通道，可為MPU的所有電源軌以及系統外設供電，完成硬件設計僅需要少量的外部濾波和穩定功能組件。評估板STEVAL-PMIC25V1現已上市，開發者可立即開始開發應用。
2024-10-18
意法半導體 STM32 微處理器 電源管理芯片
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賽果公布！灣芯展·“芯火”殿堂·精“芯”榜創新創業大賽頒獎典禮圓滿落幕
項目以獨有的射頻數字化技術平臺（RDP?）為基礎，面向能源無線、工業無線、星閃無線、衛星互聯等領域研發業界性能領先的無線通信芯片。
2024-10-18
灣芯展
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第6講：SiC單晶生長技術
高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優缺點。
2024-10-18
SiC 單晶 生長技術
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MSO 4B 示波器為工程師帶來更多臺式功率分析工具
持續測量 AC-DC 和 DC-DC 轉換器的性能可能是一項極具挑戰性的任務。隨著設計師努力從硅基電源轉換器過渡到碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體，這些挑戰變得尤為棘手。電機驅動器等三相系統的設計師面臨更多復雜問題。
2024-10-18
MSO 示波器 功率分析 泰克
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