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Analog Devices完成對Maxim Integrated的收購
（中國，北京—8月27日）Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)宣布完成此前公布的對Maxim Integrated Products, Inc. (NASDAQ: MXIM)的收購。此次收購將加強ADI作為高性能模擬半導體公司的市場地位，公司近12個月收入將超過90億美元1，利潤率業界領先，自由現金流將超過30億美元1。
2021-09-01
ADI Maxim 收購
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祝賀貿澤ECAD模型下載次數突破百萬
2021年8月26日 – 專注于引入新品推動行業創新的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其工程客戶通過mouser.com 上的ECAD資源下載模型的次數突破了100萬。 自全球授權分銷商貿澤電子推出ECAD網站以來，已有來自181個國家/地區將近10萬名獨立用戶下載了貿澤的ECAD模型。
2021-09-01
貿澤 ECAD模型 下載
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貿澤與ADI聯手推出新電子書《Industry 4.0 and Beyond》
2021年8月25日 – 專注于引入新品推動行業創新的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices Inc.聯手推出新電子書Industry 4.0 and Beyond，探索工業4.0的技術創新和廣泛應用。在這本書中，Analog Devices的技術專家就工業連接、狀態監測、軟件可配置硬件、工廠安全以及機...
2021-09-01
貿澤 ADI 電子書
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利用寬帶隙半導體技術提高功率轉換效率
寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2021-09-01
寬帶隙半導體技術 功率轉換效率
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改進JBS結構以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力
肖特基二極管（SBD）具有反向恢復時間（trr）短、正向電壓（VF）低等優點，但也存在泄漏電流大等缺點。東芝的SiC SBD使用改進的結構克服了這個缺點。
2021-09-01
JBS結構 泄漏電流 浪涌電流
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安森美AR0234CS圖像傳感器獲人工智能產品創新獎
安森美(onsemi，納斯達克股票代號：ON)宣布其全局快門AR0234CS 230萬像素CMOS圖像傳感器在“2021年中國人工智能卓越創新獎”評選中獲選為“最具創新價值產品獎”。
2021-09-01
安森美 圖像傳感器 人工智能
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使用增強模式NMOS晶體管的簡單差分放大器
本次實驗旨在研究使用增強模式NMOS晶體管的簡單差分放大器。2021年6月學子專區文章 中提出的關于硬件限制問題的說明對本次實驗也是有效的。通過提高信號電平，然后在波形發生器輸出和電路輸入之間放置衰減器和濾波器（參見圖1），可以改善信噪比。本次實驗需要如下材料：
2021-09-01
增強模式 NMOS晶體管 差分放大器
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芯和半導體參展DesignCon2021大會，發布高速仿真EDA 2021版本
2021年8月19日，中國上海訊——國產EDA行業的領軍企業芯和半導體，在美國圣何塞舉行的2021年DesignCon大會上，正式發布其高速仿真EDA解決方案2021版本。
2021-08-31
芯和半導體 DesignCon2021 高速仿真EDA
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Cree | Wolfspeed與ST擴大現有150mm SiC晶圓供應協議
2021年8月19日，美國北卡羅萊納州達勒姆訊 –– 全球碳化硅技術領先企業科銳Cree, Inc.（美國納斯達克上市代碼：CREE）與意法半導體STMicroelectronics（美國紐約證券交易所上市代碼：STM）宣布擴大現有的多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應協議。科銳旗下 Wolfspeed 是全球 SiC 技術引領者。意法半導體是...
2021-08-31
Cree ST SiC晶圓
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