【導讀】電子系統(tǒng)電壓不斷升高，傳統(tǒng)雪崩TVS二極管鉗位電壓會隨浪涌電流抬升，高能工況下保護余量不足，容易造成精密器件過壓損傷。針對這一短板，力特推出FlatSuppressX TVS二極管，采用自研淺回掃抑制架構，可在寬電流范圍內保持平穩(wěn)低鉗位電壓，無直流閂鎖風險，適配車載、工業(yè)等高可靠電路的瞬態(tài)防護場景。
隨著系統(tǒng)工作電壓持續(xù)升高，瞬態(tài)保護器件必須提供更低的鉗位電壓，以防止敏感電子元件過應力。傳統(tǒng)雪崩 TVS 二極管可以有效抑制浪涌事件；然而，其鉗位電壓隨浪涌電流增加而升高，在高能瞬變期間降低了保護余量。
LittelfuseFlatSuppressXTVS 二極管采用專有的瞬態(tài)抑制架構，將鉗位電壓的回掃深度進行了有效的設計及控制。
觸發(fā)后，器件轉入穩(wěn)定的低阻抗狀態(tài)，并在寬浪涌電流范圍內保持近乎恒定并且更低的鉗位電壓。與傳統(tǒng)雪崩 TVS 技術相比，這種受控工作模式可實現(xiàn)顯著更低的鉗位電壓和更小的瞬態(tài)應力。
與傳統(tǒng)雪崩 TVS 保護器件不同，F(xiàn)latSuppressX TVS 兼具低鉗位電壓、穩(wěn)定瞬態(tài)響應和無閂鎖風險操作，提高了系統(tǒng)穩(wěn)健性，并使得在嚴苛電氣環(huán)境中使用更低額定電壓的元件成為可能。
特性
FlatSuppressX TVS 采用專有的淺回掃設計。與傳統(tǒng)雪崩 TVS 器件（其鉗位電壓隨浪涌電流顯著增加）不同，F(xiàn)latSuppressX TVS 二極管在寬電流范圍內保持穩(wěn)定的、近乎平坦的鉗位特性。這種行為最大限度地減少了電壓過沖并降低了對被保護電路的瞬態(tài)應力。
該架構專為實現(xiàn)低鉗位性能而設計，且無 DC 閂鎖風險。
圖 1：FlatSuppressX TVS 二極管瞬態(tài)鉗位波形
圖 2：傳統(tǒng) TVS 和 FlatSuppressX TVS 二極管的 I-V 曲線
PPPM峰值脈沖功率耗散 (IPPx VC)—— 最大功率耗散
VR關斷電壓—— 可施加到 TVS 上而不使其工作的最大電壓
VBR擊穿電壓—— 在指定測試電流 (IT) 下流過 TVS 的最大電壓
VC鉗位電壓—— 在指定 IPPM（峰值脈沖電流）下，TVS 兩端測得的峰值電壓
IR反向漏電流—— 在 VR下測得的電流
VCMIN雙向的 Snap 電壓
低鉗位性能
圖 3：鉗位性能比較
FlatSuppressX TVS 通過在以受控回彈導通模式下工作，實現(xiàn)了比傳統(tǒng)雪崩 TVS 器件顯著更低的鉗位電壓。
圖 3 比較了 TP5.0SMD60CA-FL FlatSuppressX TVS 和傳統(tǒng) 5 kW 汽車 TVS xxxxx60CA 在等效浪涌條件下的瞬態(tài)性能。TP5.0SMD60CA-FL 在整個浪涌事件期間保持顯著更低的鉗位電壓，降低了下游電路的電壓應力并增加了系統(tǒng)保護余量。
系統(tǒng)級優(yōu)勢
FlatSuppressX TVS 提供的更低鉗位電壓降低了對敏感電子元件的瞬態(tài)過應力，并提高了整體系統(tǒng)可靠性。
通過限制瞬態(tài)電壓暴露，F(xiàn)latSuppressX TVS 使得使用更低額定電壓的元件成為可能，包括電容器、功率 MOSFET、反向極性保護器件、負載開關 IC、電壓調節(jié)器和 PMIC。這一能力支持改善功率密度、優(yōu)化元件利用率和降低系統(tǒng)成本。
結論
FlatSuppressX TVS 二極管結合專有淺回掃設計，實現(xiàn)了穩(wěn)定的、近乎平坦的鉗位特性。與傳統(tǒng)雪崩 TVS 器件相比，它提供顯著更低的鉗位電壓、更大的保護余量和更高的浪涌電流能力且無直流閂鎖風險。它為汽車、工業(yè)和其他高可靠性電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)健的保護解決方案。
表 1. 當前FlatSuppressX TVS 系列概覽
結論
相較于傳統(tǒng)方案，力特FlatSuppressX TVS二極管可全程壓低并穩(wěn)定鉗位電壓，抑制電壓過沖，大幅降低電路瞬態(tài)應力，系統(tǒng)防護余量與穩(wěn)定性更強。該器件支持選用更低耐壓規(guī)格的元器件，有效優(yōu)化功率密度、提升器件利用率，降低整機成本。憑借平坦鉗位特性、無閂鎖風險和優(yōu)異的浪涌耐受能力，該產品可為工業(yè)、汽車等嚴苛場景提供更高效、更穩(wěn)妥的瞬態(tài)浪涌保護。
