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ROHM 推出 BM85060FV 圖騰柱 PFC 控制器，支持 GaN MHz 高頻開關(guān)
在適配器、小型工業(yè)電源的設(shè)計(jì)里，圖騰柱 PFC 搭配 GaN 是當(dāng)下實(shí)現(xiàn)高效率、小型化的主流路線，但用傳統(tǒng) MCU 方案做高頻控制，往往會受限于功耗、外圍電路和成本。中國上海，2026年10月29日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，開發(fā)出有助于實(shí)現(xiàn)小型高效率AC-DC電源的Totem Pole PFC*1（圖騰柱PFC，以下簡稱“TP-PFC”）控制器IC“BM85060FV”，其特點(diǎn)是可在支持GaN HEMT*2高頻開關(guān)的MHz頻段工作。
2026-10-30
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詳解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的應(yīng)用：優(yōu)勢與 dv/dt 控制
共源共柵碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Cascode SiC JFET，簡稱 CJFET）兼具高耐壓、低導(dǎo)通損耗、開關(guān)速度快及柵極電荷低（0?12 V 柵極驅(qū)動）等優(yōu)勢，在 LLC 諧振變換器中極具應(yīng)用潛力。然而，其關(guān)斷時(shí)較高的電壓變化率（dv/dt）易激發(fā)持續(xù)振鈴，導(dǎo)致電壓過沖、電磁干擾（EMI），極端情況下甚至引發(fā)振蕩。尤其在高于諧振頻率的工況下，初級側(cè)開關(guān)電流往往較大（例如 750 V 器件可達(dá) 30 A 以上），該問題更為突出。
2026-10-30
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意法半導(dǎo)體推出 MasterGaN7，擴(kuò)充集成 GaN 功率器件產(chǎn)品線
2026 年 10 月 29 日，意法半導(dǎo)體正式發(fā)布 MasterGaN7，進(jìn)一步豐富 MasterGaN 集成氮化鎵功率器件產(chǎn)品陣容。這款 9×9mm QFN 封裝器件，將兩顆 650V、6A GaN 管與高壓柵極驅(qū)動器做半橋集成，引腳和封裝與同系列產(chǎn)品保持兼容，方便工程師直接替換升級。 相比前代產(chǎn)品，MasterGaN7 增加了 LDO 低壓差穩(wěn)壓電路，保證柵極驅(qū)動電壓穩(wěn)定；同時(shí)新增引腳關(guān)斷與快速喚醒功能，有效壓低整機(jī)空載功耗。器件傳播延遲僅 45ns，最高支持 2MHz 開關(guān)頻率，外圍只需要少量無源器件與小型磁性元件，能夠大幅簡化 PCB 布局、縮減物料成本。器件自帶互鎖、欠壓鎖定、過熱保護(hù)，適配反激、LLC、PFC 等多種主流電源拓?fù)洌嫦虺潆娖鳌⒐I(yè)照明、太陽能微型逆變器等場景。目前產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，配套 EVLMG7 評估板同步上線，可快速開展方案驗(yàn)證。
2026-10-29
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GTC 柏林：英飛凌深化與 NVIDIA 合作，聯(lián)合開發(fā) 800 VDC AI 數(shù)據(jù)中心 IBC 氮化鎵電源方案
GTC 柏林期間，英飛凌宣布深化和 NVIDIA 的合作，共同推進(jìn) AI 數(shù)據(jù)中心 800 VDC 供電架構(gòu)，重點(diǎn)攻關(guān)高壓中間總線轉(zhuǎn)換器 IBC 方案。IBC 是 AI 服務(wù)器供電鏈路里關(guān)鍵的一環(huán)，英飛凌依托氮化鎵 GaN 器件高開關(guān)頻率、低損耗的特性，搭配控制器、驅(qū)動芯片，形成整套 IBC 系統(tǒng)方案，支持 800V 轉(zhuǎn) 50V/12V/6V 多種變換規(guī)格，兼顧功率密度與轉(zhuǎn)換效率。本次合作是雙方前期 800V 熱插拔機(jī)架項(xiàng)目的延續(xù)，范圍覆蓋中間總線轉(zhuǎn)換、電源路徑保護(hù)等，面向高密度兆瓦級機(jī)柜的配電、散熱與可維護(hù)需求。
2026-10-23
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邁來芯 MLX92342 兩線無 PCB 霍爾開關(guān)發(fā)布，適配車載區(qū)域架構(gòu)、安全帶扣安全檢測
汽車電子向區(qū)域控制架構(gòu)轉(zhuǎn)型后，大量傳感器布置在車身遠(yuǎn)端，對器件體積、布線復(fù)雜度、功能安全診斷能力都提出更高要求。邁來芯新推出 MLX92342 可編程兩線制無 PCB 霍爾開關(guān)，以電流型兩線接口實(shí)現(xiàn)信號傳輸，相比傳統(tǒng)三線方案減少線束與重量，支持直接貼裝、省去 PCB。芯片按 ISO 26262 SEooC 開發(fā)，滿足 ASIL B，信號與診斷輸出時(shí)延低于 100μs，很適合安全帶扣這類對自檢時(shí)效要求嚴(yán)苛的安全場景。芯片支持磁鎖存、單極、全極多種工作模式，搭配 IMC? 集磁點(diǎn)技術(shù)可做橫向磁場檢測，參數(shù)可靈活配置，覆蓋車門鎖、液位檢測、執(zhí)行器換向等多種離散位置監(jiān)測場景，目前 MLX92342 已經(jīng)正式量產(chǎn)，同步提供預(yù)編程版本 MLX92341。
2026-10-23
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無風(fēng)扇 750W 醫(yī)療電源｜XP Power UCH750 兼顧安靜運(yùn)行與高安全隔離
XP Power 全新發(fā)布 UCH750 系列 750W 自然風(fēng)冷 AC-DC 電源，屬于同功率段里少見的無風(fēng)扇醫(yī)療級方案，采用緊湊機(jī)架安裝結(jié)構(gòu)，消除風(fēng)扇噪聲同時(shí)減少易損件，降低設(shè)備后期維護(hù)壓力。該系列滿足 BF 級醫(yī)療設(shè)備要求，具備 2×MOPP 隔離，漏電流控制到 100μA 以內(nèi)，擁有 IEC60601-1、IEC62368-1、UL、TüV 等安規(guī)認(rèn)證，分為 Class I 和 Class II 兩個(gè)版本。效率最高可達(dá) 96%，整機(jī)尺寸 203.2 × 127.0 × 40.0 毫米，覆蓋 12V/24V/36V/48V/54V 五檔輸出，100VAC 輸入、50℃環(huán)境下可滿功率 750W 輸出，滿足 EN55032 B 級 EMC。自帶遠(yuǎn)程開關(guān)、5V 待機(jī)供電以及過載、短路、過壓、過溫保護(hù)，除醫(yī)療監(jiān)護(hù)、影像、家用醫(yī)療設(shè)備外，也適合測試測量、自動化、半導(dǎo)體、電信這類看重靜音和高在線率的場景，現(xiàn)已開放供貨，提供三年質(zhì)保。
2026-10-21
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麥科信推出 MOIP1200P 光隔離探頭，依托 SigOFIT 技術(shù)應(yīng)對 SiC/GaN 高頻高壓測試挑戰(zhàn)
第三代 SiC、GaN 功率半導(dǎo)體開關(guān)速度達(dá)到納秒級別，母線電壓提升帶來嚴(yán)重的共模干擾，傳統(tǒng)高壓差分探頭很難兼顧帶寬、共模抑制與安全。麥科信 MOIP1200P 光隔離探頭采用自研 SigOFIT 光隔離方案，通過電光光電轉(zhuǎn)換 + 光纖傳輸、激光供電，實(shí)現(xiàn)被測端與示波器完全電氣隔離，消除地環(huán)路干擾。產(chǎn)品帶寬最高 1.2GHz，DC 共模抑制比可達(dá) 180dB，可承受 85kVpk 共模電壓，輸入電容僅 1pF，能安全測量 GaN 柵極這類敏感節(jié)點(diǎn)。搭載 ADHOMT 模數(shù)混合激光調(diào)制技術(shù)，具備零溫漂、免人工校準(zhǔn)、可長期不間斷測試的特點(diǎn)，BNC 接口兼容各品牌示波器，適用于 SiC/GaN 雙脈沖測試、柵極驅(qū)動分析、電驅(qū)逆變器以及器件老化可靠性測試。
2026-10-20
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Vishay推出SOT-227封裝功率模塊，在提高功率轉(zhuǎn)換效率的同時(shí)，無需改變PCB布局
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款內(nèi)置650 V超結(jié)MOSFET芯片、采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型功率模塊--- VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65。Vishay Semiconductors VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65優(yōu)異均衡導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，支持工業(yè)應(yīng)用高效功率轉(zhuǎn)換。
2026-10-16
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瑞薩擴(kuò)充 GaN 產(chǎn)品線，推出低壓 GaN FET 面向 AI 數(shù)據(jù)中心與機(jī)器人
2026 年 10 月 8 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布將其GaN產(chǎn)品組合擴(kuò)展至低壓應(yīng)用領(lǐng)域，率先在業(yè)界推出100V增強(qiáng)型（E-mode）GaN分立功率晶體管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低壓GaN FET可在AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人、工廠自動化和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、電動工具以及太陽能微型逆變器等對效率要求極高的高功率密度應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)超高速開關(guān)速度和增強(qiáng)的熱性能。
2026-10-08
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英飛凌碳化硅技術(shù)賦能麥田能源 戶用儲能系統(tǒng)性能斬獲行業(yè)頂尖佳績
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布，為可再生能源解決方案的領(lǐng)先提供商麥田能源提供碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件，助力提升其戶用儲能系統(tǒng)（ESS）的運(yùn)行效率。麥田能源采用英飛凌CoolSiC? MOSFET 1200 V G2 Q-DPAK封裝，將開關(guān)損耗降低70%。依托該技術(shù)，麥田能源PQ3-Ultra儲能系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)光伏逆變器最高并網(wǎng)效率98.78%，電池充放電最高效率達(dá)98.47%。
2026-09-24
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東芝推出高浪涌耐受 3300V SiC MOSFET 模塊 助力工業(yè)電力設(shè)備提升可靠性
在鐵路牽引、新能源發(fā)電、大功率電力變換等工業(yè)場景中，功率模塊常會遭遇突發(fā)浪涌電流，對器件的耐受能力提出嚴(yán)苛要求。東芝近日發(fā)布型號為 IX800FXF2YMS4 的雙 SiC MOSFET 模塊，搭載第三代碳化硅芯片，額定 3300V、800A。產(chǎn)品明確標(biāo)注二極管 I2t 指標(biāo)，同時(shí)兼顧低導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，搭配 iXPLV?封裝與銀燒結(jié)工藝，可滿足高溫工況需求，適配鐵路、儲能、工業(yè)電機(jī)控制等大功率電力轉(zhuǎn)換設(shè)備，幫助設(shè)備廠商兼顧效率、體積與運(yùn)行穩(wěn)定性。
2026-09-24
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新增 TO-92 通孔封裝！力特 TX00AT314AMA TMR 磁傳感器面世
美國 伊利諾伊州羅斯蒙特、中國 上海 — 2026年9月22日 — 為安全高效的電能傳輸提供多元化先進(jìn)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），今天宣布推出TX00AT314AMA全極TMR開關(guān)傳感器，這是TX00 TMR開關(guān)系列的最新成員。TX00AT314AMA采用引線式TO-92封裝且原產(chǎn)地為韓國，提供與SOT-23-3封裝的TX00AS314TRA相同性能的同時(shí)，還具備以下優(yōu)異特性——高靈敏度磁場檢測、超低功耗，典型工作電流僅1.5 μA、全極性磁場檢測能力以及最高1 kHz的開關(guān)響應(yīng)速度，為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)提供了新的封裝選擇和更加多元化的供應(yīng)鏈方案。
2026-09-22
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