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GTC 柏林:英飛凌深化與 NVIDIA 合作,聯(lián)合開發(fā) 800 VDC AI 數(shù)據(jù)中心 IBC 氮化鎵電源方案

發(fā)布時(shí)間:2026-10-23 來源:轉(zhuǎn)載 責(zé)任編輯:lijiahuan

【導(dǎo)讀】GTC 柏林期間,英飛凌宣布深化和 NVIDIA 的合作,共同推進(jìn) AI 數(shù)據(jù)中心 800 VDC 供電架構(gòu),重點(diǎn)攻關(guān)高壓中間總線轉(zhuǎn)換器 IBC 方案。IBC 是 AI 服務(wù)器供電鏈路里關(guān)鍵的一環(huán),英飛凌依托氮化鎵 GaN 器件高開關(guān)頻率、低損耗的特性,搭配控制器、驅(qū)動(dòng)芯片,形成整套 IBC 系統(tǒng)方案,支持 800V 轉(zhuǎn) 50V/12V/6V 多種變換規(guī)格,兼顧功率密度與轉(zhuǎn)換效率。本次合作是雙方前期 800V 熱插拔機(jī)架項(xiàng)目的延續(xù),范圍覆蓋中間總線轉(zhuǎn)換、電源路徑保護(hù)等,面向高密度兆瓦級(jí)機(jī)柜的配電、散熱與可維護(hù)需求。


全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布深化與NVIDIA的合作,共同推動(dòng)面向AI數(shù)據(jù)中心800 VDC電源架構(gòu)的發(fā)展。此次于NVIDIA柏林GTC開發(fā)者大會(huì)期間發(fā)布的合作,聚焦于高壓中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)。IBC是AI數(shù)據(jù)中心供電鏈路中最關(guān)鍵、技術(shù)要求也最嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)之一。憑借優(yōu)異的性能優(yōu)勢(shì),英飛凌氮化鎵(GaN)技術(shù)正成為這一應(yīng)用場(chǎng)景的重要選擇。此次合作建立在雙方自2025年5月首次宣布、并于同年10月進(jìn)一步深化的合作成果基礎(chǔ)之上,此前的合作重點(diǎn)圍繞實(shí)現(xiàn)可維護(hù)、支持熱插拔的800 VDC服務(wù)器機(jī)架。


英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示:“AI正從根本上重塑我們對(duì)電力基礎(chǔ)設(shè)施的需求,而半導(dǎo)體正是解決這項(xiàng)挑戰(zhàn)的核心所在。我們與NVIDIA在800 V電源架構(gòu)上的合作,充分展現(xiàn)了深厚的半導(dǎo)體專業(yè)能力與AI時(shí)代所需的創(chuàng)新速度相結(jié)合所帶來的潛能。以氮化鎵為基礎(chǔ)的系統(tǒng)解決方案是支撐下一代數(shù)據(jù)中心的重要驅(qū)動(dòng)力。英飛凌很高興能夠憑借從電網(wǎng)到核心的技術(shù)布局,為AI時(shí)代的基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展提供關(guān)鍵支持。”


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英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck


隨著AI工作負(fù)載帶來的巨大功耗增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心已開始采用中間總線架構(gòu)。中間總線轉(zhuǎn)換器將為加速卡供電的主總線電壓降至較低電壓,使后續(xù)電源級(jí)能高效產(chǎn)生AI處理器所需、電壓控制精準(zhǔn)的核心電源與負(fù)載點(diǎn)(PoL)電源。這種多級(jí)轉(zhuǎn)換方式有助于降低配電損耗,同時(shí)滿足電路板空間、散熱限制及持續(xù)運(yùn)行時(shí)間方面的嚴(yán)格要求。隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施規(guī)模擴(kuò)大,800 VDC正逐步進(jìn)入AI數(shù)據(jù)中心的供電架構(gòu)體系,與現(xiàn)行的交流(AC)及低壓直流(DC)架構(gòu)并行,為高密度算力部署提供更高效的電力分配方案。


氮化鎵非常適合滿足這些應(yīng)用需求。與硅相比,GaN功率器件能以更低的損耗實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度,使IBC的開關(guān)頻率最高可達(dá)1 MHz。這使得磁性器件與無源器件的尺寸得以大幅縮小,直接提升功率密度并降低電路板高度;對(duì)機(jī)柜空間日趨緊張的AI數(shù)據(jù)中心而言,這是一項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。同時(shí),GaN的低導(dǎo)通損耗與低開關(guān)損耗有助于實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的轉(zhuǎn)換效率,即使單機(jī)柜功率持續(xù)向兆瓦級(jí)攀升,也能有效控制電能轉(zhuǎn)換損耗與發(fā)熱量,減輕散熱負(fù)擔(dān)。這些特性使氮化鎵成為目前能同時(shí)滿足IBC對(duì)功率密度、效率及快速瞬態(tài)響應(yīng)要求的首選半導(dǎo)體技術(shù)。英飛凌憑借多年來在GaN開發(fā)和制造領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力,確立了這項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。結(jié)合PSoC? Control C3與 EiceDRIVER?產(chǎn)品系列,英飛凌已可提供完整的IBC系統(tǒng)解決方案。


英飛凌的GaN產(chǎn)品組合支持高壓IBC級(jí)所需的所有電壓轉(zhuǎn)換比例,包括800 V轉(zhuǎn)50 V、800 V轉(zhuǎn)12 V以及800 V轉(zhuǎn)6 V,讓數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)人員能夠靈活優(yōu)化機(jī)柜架構(gòu),而無需犧牲功率密度或效率。在兼顧高開關(guān)頻率、高功率密度與高效率的設(shè)計(jì)中,GaN功率開關(guān)的優(yōu)勢(shì)得以充分發(fā)揮。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位,得益于其廣泛的內(nèi)部制造能力以及多年積累的應(yīng)用與系統(tǒng)技術(shù)專長(zhǎng)。其產(chǎn)品組合覆蓋硅、氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的IBC解決方案,可支持客戶多樣化的設(shè)計(jì)需求。


英飛凌與NVIDIA的合作覆蓋整個(gè)數(shù)據(jù)中心的供電鏈路。除IBC外,合作范圍也包括雙方于2025年10月宣布的電源路徑保護(hù)解決方案,聚焦于熱插拔控制器功能等安全與維護(hù)需求,支持未來的服務(wù)器主板適配800 VDC電源架構(gòu)。


此次深化合作,進(jìn)一步彰顯英飛凌作為AI基礎(chǔ)設(shè)施“從電網(wǎng)到核心”功率半導(dǎo)體合作伙伴的地位,為完整供電鏈路提供解決方案,覆蓋面向電網(wǎng)的電源供應(yīng)單元到處理器端的負(fù)載點(diǎn)。


關(guān)于英飛凌


英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約57,000名員工(截至2025年9月底),在2025財(cái)年(截至9月30日)的營(yíng)收約為147億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國(guó)的 OTCQX 國(guó)際場(chǎng)外交易市場(chǎng)上市(股票代碼:IFNNY)。


英飛凌中國(guó)


英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長(zhǎng),在中國(guó)擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)應(yīng)用支持、人才培養(yǎng)等方面與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。


結(jié)論


AI 算力功耗持續(xù)走高,800V 直流架構(gòu)正在成為下一代數(shù)據(jù)中心重要的配電路線,而中間總線轉(zhuǎn)換器是落地該架構(gòu)的核心瓶頸。英飛凌的 GaN 方案很好匹配了 IBC 對(duì)效率、功率密度、瞬態(tài)響應(yīng)的嚴(yán)苛要求,疊加硅、SiC 多技術(shù)路線,給客戶提供靈活選型。本次合作把英飛凌 “從電網(wǎng)到核心” 的功率器件能力和 NVIDIA 的 AI 硬件需求綁定,不只是單一器件的配套,而是面向整機(jī)供電鏈路的協(xié)同定義,有助于加速 800V DC 高壓配電方案在 AI 集群的規(guī)模化落地。


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