【導讀】中微公司宣布，Primo Domingo? 氣相高選擇性刻蝕設(shè)備全球首臺機交付國內(nèi)集成電路客戶。高選擇性刻蝕是 GAA、3D NAND、3D DRAM 這類三維芯片制造的核心工序，該設(shè)備的落地填補了國內(nèi)下一代 3D 器件關(guān)鍵刻蝕工藝的自主空白。設(shè)備采用全對稱腔體、雙冷熱晶圓基座、快速脈沖氣控等設(shè)計，搭配成熟的傳輸系統(tǒng)，保障晶圓刻蝕均勻性與工藝穩(wěn)定性。目前中微刻蝕設(shè)備覆蓋 65nm 至 3nm 及更先進節(jié)點，超高深寬比刻蝕能力達到國際一流水準，公司整體已經(jīng)形成刻蝕、薄膜、量測等多品類設(shè)備平臺化布局，累計超 8800 個反應臺在海內(nèi)外產(chǎn)線量產(chǎn)。面向未來，中微計劃持續(xù)拓展產(chǎn)品線，瞄準高端半導體設(shè)備與先進封裝設(shè)備市場。在 AI 算力帶動晶圓廠擴產(chǎn)、存儲資本開支上行的背景下，這款設(shè)備也有望帶動國內(nèi)三維器件供應鏈自主能力進一步提升。
中微公司Primo Domingo?采用全對稱腔體結(jié)構(gòu)與優(yōu)化流場設(shè)計，在氣體注入、溫度控制、壓力調(diào)控等關(guān)鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)系統(tǒng)整合，確保晶圓表面刻蝕的高度均勻性與工藝重復性。Primo Domingo?獨特的集成氣柜設(shè)計，可縮短氣體注入距離，實現(xiàn)更快脈沖氣體精密控制，提升刻蝕性能。設(shè)備內(nèi)部采用了高抗腐蝕管路與特殊涂層材料以應對工藝所需的高活性刻蝕氣體，保障設(shè)備長期可靠運行。此外，Primo Domingo?配備了雙制冷/雙加熱晶圓基座，支持寬范圍精準溫控，顯著提升了刻蝕工藝的均勻性與穩(wěn)定性。Primo Domingo?同樣搭載中微公司量產(chǎn)的Primo C6V3傳輸系統(tǒng)，可靈活搭配主刻蝕腔和輔助退火腔，滿足不同刻蝕應用的需求。
該產(chǎn)品的成功付運，不僅進一步豐富了公司在高端刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣，更有力支撐了集成電路產(chǎn)業(yè)在先進工藝節(jié)點上的技術(shù)攻堅，為客戶實現(xiàn)更高性能、更小尺寸的器件制造提供了關(guān)鍵工藝設(shè)備保障。
目前，中微公司刻蝕設(shè)備全面覆蓋從65納米到3納米及更先進工藝的刻蝕應用，全面覆蓋存儲器中各類超高深寬比刻蝕應用。介質(zhì)刻蝕達到 60比1，90比1的極高深寬比，硅刻蝕達到140比1 的極高深寬比，已經(jīng)達到國際一流水平。公司行業(yè)首創(chuàng)的雙反應臺（Dual-Station）ICP刻蝕技術(shù)，已經(jīng)達到0.2納米的單原子水平，相當于一根頭發(fā)絲直徑的30萬分之一。
經(jīng)過長期深耕與技術(shù)攻堅，中微公司已經(jīng)累計開發(fā)出54種高端半導體設(shè)備，其中包括26種細分的單反應臺反應腔和雙反應臺可單臺獨立操作的高能等離子體CCP及低能等離子體ICP刻蝕機，還包括24種薄膜設(shè)備，如各種MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI設(shè)備和CMP及先進封裝、光學量檢測設(shè)備等。截至 2026 年 6 月底，中微公司已累計超過 8800 個反應臺在國內(nèi)外220余條生產(chǎn)線上實現(xiàn)量產(chǎn)，設(shè)備穩(wěn)定性、工藝精度、量產(chǎn)適配性獲得全球市場充分驗證，平臺化商業(yè)化布局成果豐碩。
中微公司資深副總裁叢海表示：“中微公司開發(fā)的一系列刻蝕設(shè)備在性能、穩(wěn)定性等方面滿足了客戶的高標準要求，并可覆蓋國內(nèi)大多數(shù)的刻蝕應用需求。
目前，中微公司平臺化戰(zhàn)略已全面落地，產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，企業(yè)發(fā)展邁入規(guī)模化新階段。未來五年計劃通過“有機生長和外延擴展”，持續(xù)拓寬產(chǎn)品矩陣，覆蓋包括刻蝕，薄膜，濕法和量檢測設(shè)備等約60%以上的高端半導體設(shè)備市場，以及70%以上的先進封裝設(shè)備市場。
從行業(yè)發(fā)展維度看，AI正驅(qū)動全球半導體設(shè)備支出持續(xù)快速增長。SEMI預計，2026年全球半導體設(shè)備銷售額將達1659億美元，同比增長23.2%；2028年將達到2295億美元，存儲相關(guān)設(shè)備支出有望持續(xù)加速擴張。全球晶圓廠加速擴產(chǎn)，三星與SK海力士規(guī)劃到2030年DRAM產(chǎn)能接近翻倍。Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)存儲龍頭公司市場份額穩(wěn)步提升，國產(chǎn)替代空間巨大，未來擴產(chǎn)前景廣闊，國內(nèi)半導體設(shè)備廠商有望迎來黃金發(fā)展期。
中微公司Primo Domingo?的成功付運，標志著國產(chǎn)刻蝕設(shè)備正式叩開下一代三維器件制造核心工藝的大門，打破了海外廠商在高選擇性刻蝕這一高端細分領(lǐng)域的長期技術(shù)壟斷。隨著AI算力與高性能計算需求持續(xù)爆發(fā)，GAA、3D NAND、3D DRAM等先進架構(gòu)加速滲透，刻蝕工藝復雜度與單晶圓設(shè)備用量同步提升，全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模預計將保持穩(wěn)定增長，市場增量空間持續(xù)打開。此前，這類先進三維架構(gòu)的關(guān)鍵刻蝕工序高度依賴進口設(shè)備，是國內(nèi)集成電路供應鏈自主可控的突出短板。隨著中微公司等企業(yè)持續(xù)技術(shù)攻堅，國產(chǎn)半導體設(shè)備正從單一品類的單點突破，向全工藝環(huán)節(jié)的體系化競爭力升級。
從國家產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略高度看，半導體設(shè)備是支撐數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展、保障產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈安全的核心基石，一直受到國家大力支持。中微公司在高端刻蝕領(lǐng)域的持續(xù)突破，是我國高端裝備制造領(lǐng)域自主創(chuàng)新的典型縮影，印證了關(guān)鍵核心技術(shù)唯有堅持長期主義、深耕底層技術(shù)才能實現(xiàn)自主可控。中微公司取得的成績，不僅為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)注入了攻堅克難的堅定信心，更向市場傳遞出清晰信號：中國半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)長期成長的確定性與韌性持續(xù)增強，將為我國建設(shè)制造強國、搶占數(shù)字經(jīng)濟戰(zhàn)略高地提供堅實的底層支撐。
結(jié)論
Primo Domingo 首臺付運，代表國產(chǎn)刻蝕設(shè)備在高選擇性刻蝕這個長期由海外主導的細分賽道實現(xiàn)突破。它不只是單一設(shè)備的產(chǎn)品落地，也讓國內(nèi) GAA、3D 存儲等先進三維架構(gòu)工藝有了本土設(shè)備選項。依托多年刻蝕技術(shù)積累，中微已經(jīng)從單點設(shè)備突破，轉(zhuǎn)向多品類、平臺化的設(shè)備供應模式。在全球存儲大廠持續(xù)擴產(chǎn)、國內(nèi)存儲份額穩(wěn)步提升的行業(yè)環(huán)境下，國產(chǎn)刻蝕、薄膜等設(shè)備的替代空間廣闊。后續(xù)能否在客戶端持續(xù)驗證良率、穩(wěn)定上量，將是這套高選擇性刻蝕方案從樣機走向大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。
