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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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工信部稱電子產業內資日子好過外資
中國電子信息產業受金融危機之創明顯，進入第三季度后至10月底，該產業增加值的增速一路下滑，而進出口增速同比也有較大回落。工業和信息化部(下稱“工信部”)昨天公布的10月份國內電子信息產業經濟運行情況、1～10月電子產業統計數據顯示，中國電子信息產業發展速度已明顯放緩，結構調整繼續深化。
2008-12-04
電子信息產業 電子制造業
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工信部稱電子產業內資日子好過外資
中國電子信息產業受金融危機之創明顯，進入第三季度后至10月底，該產業增加值的增速一路下滑，而進出口增速同比也有較大回落。工業和信息化部(下稱“工信部”)昨天公布的10月份國內電子信息產業經濟運行情況、1～10月電子產業統計數據顯示，中國電子信息產業發展速度已明顯放緩，結構調整繼續深化。
2008-12-04
電子信息產業 電子制造業
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工信部稱電子產業內資日子好過外資
中國電子信息產業受金融危機之創明顯，進入第三季度后至10月底，該產業增加值的增速一路下滑，而進出口增速同比也有較大回落。工業和信息化部(下稱“工信部”)昨天公布的10月份國內電子信息產業經濟運行情況、1～10月電子產業統計數據顯示，中國電子信息產業發展速度已明顯放緩，結構調整繼續深化。
2008-12-04
電子信息產業 電子制造業
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磁性材料：出口大于進口
2007年磁性材料出口121506萬美元，同比增長41.73%，數量280192噸，同比增長21.84%；進口額4275萬美元，同比增長12.06%，進口量66874噸，同比減少3.46%。
2008-12-04
磁性材料 氧化鐵 鐵磷
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磁性材料：出口大于進口
2007年磁性材料出口121506萬美元，同比增長41.73%，數量280192噸，同比增長21.84%；進口額4275萬美元，同比增長12.06%，進口量66874噸，同比減少3.46%。
2008-12-04
磁性材料 氧化鐵 鐵磷
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磁性材料：出口大于進口
2007年磁性材料出口121506萬美元，同比增長41.73%，數量280192噸，同比增長21.84%；進口額4275萬美元，同比增長12.06%，進口量66874噸，同比減少3.46%。
2008-12-04
磁性材料 氧化鐵 鐵磷
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