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為精密模擬電路設(shè)計(jì)超低噪聲正負(fù)電源
當(dāng)今的一些高精密模擬系統(tǒng)需要低噪聲正負(fù)電壓軌來為精密模擬電路供電，這些電路包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)、雙極放大器等等。如何產(chǎn)生清潔、穩(wěn)定的正負(fù)電壓軌為噪聲敏感型模擬組件供電是擺在我們面前的一個(gè)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2012-07-11
精密 模擬電路 電源
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小型、最大容量! 村田用于汽車的獨(dú)石陶瓷電容器開始量產(chǎn)
為解決耐熱性的汽車電源電路需求，村田獨(dú)石陶瓷電容器可替換的鋁電容和鉭電容。憑借開發(fā)新的材料，將至今為主流的3225尺寸達(dá)成了3216尺寸的小型化，并且成功地將 (額定電壓50V制品) 靜電容量從2.2μF擴(kuò)大到4.7μF、 (額定電壓25V制品) 4.7μF擴(kuò)大到10μF。
2012-07-10
獨(dú)石陶瓷電容器 汽車電子 汽車電源
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精密的智能電池使充電變簡(jiǎn)單了！
智能電池系統(tǒng)（SBS）的出現(xiàn)大大簡(jiǎn)化了獨(dú)立電池系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，因此其應(yīng)用已經(jīng)超出了筆記本計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，而出現(xiàn)在其他各種應(yīng)用中，比如備份電源系統(tǒng)、高可靠性軍事和航天應(yīng)用中。 其他關(guān)鍵應(yīng)用還包括了汽車、安全/監(jiān)視/防偽系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、刀片服務(wù)器、電信和便攜式電子產(chǎn)品。
2012-07-10
單芯片 服務(wù)器 計(jì)算機(jī) 電池
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讓有刷DC或雙極步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)變得更容易！
眾所周知，步進(jìn)馬達(dá)能夠在開環(huán)條件下進(jìn)行電流變向的同時(shí)，還能對(duì)速度和位置實(shí)施精確的控制。因此，在談到電子驅(qū)動(dòng)的簡(jiǎn)便性時(shí)，步進(jìn)馬達(dá)具有無與倫比的優(yōu)勢(shì)。另外，同許多由一些有刷 DC 馬達(dá)或者三相無刷 DC 馬達(dá)組成的類似伺服驅(qū)動(dòng)器相比，它還具有另一種與身具來的能力：指定位置保持。
2012-07-06
有刷DC 雙極 步進(jìn) 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
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解讀耦合電感 SEPIC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)
單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 能夠通過一個(gè)大于或者小于調(diào)節(jié)輸出電壓的輸入電壓工作。除能夠起到一個(gè)降壓及升壓轉(zhuǎn)換器的作用以外，SEPIC 還具有最少的有源組件、一個(gè)簡(jiǎn)易控制器和鉗位開關(guān)波形，從而提供低噪聲運(yùn)行。看是否使用兩個(gè)磁繞組，是我們識(shí)別 SEPIC 的一般方法。這些繞組可繞于共用鐵芯上，...
2012-07-03
耦合電感 SEPIC 轉(zhuǎn)換器
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走向環(huán)保：提高反向轉(zhuǎn)換器效率
插到墻上電源插座的普通墻上適配器每年要花去用戶大約 3 美元。通過“能源之星”計(jì)劃，北美許多國(guó)家正致力于降低該費(fèi)用，以及減少制造該電源所帶來的污染。許多墻上適配器和其他低功耗隔離式電源都使用了反向轉(zhuǎn)換器，因?yàn)槠浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低。但是，反向轉(zhuǎn)換器并非以高效率見長(zhǎng)，低輸出電壓時(shí)更是如...
2012-07-03
反向 轉(zhuǎn)換器 效率
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高頻率、高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)頻率越來越快，目的是減小輸出電容和電感的尺寸，以節(jié)省電路板空間。正因如此，現(xiàn)在市場(chǎng)上出現(xiàn)越來越多工作在高輸入電壓下的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其可提供線壓瞬態(tài)保護(hù)，更低的占空比使更快頻率下難以達(dá)到更低的電壓。許多電源集成電路制造廠商（IC）正在積極推銷高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器，聲稱可...
2012-07-02
電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時(shí)導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，4.5V時(shí)導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
TrenchFET 功率MOSFET N溝道器件
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更高的集成度、更低的成本需要更深入的系統(tǒng)理解
行業(yè)分析師們一致認(rèn)為未來系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)是移動(dòng)便攜、“綠色”節(jié)能，以及在終端設(shè)備中集成更多的傳感器。這種發(fā)展趨勢(shì)，要求模數(shù) (ADC) 轉(zhuǎn)換器和數(shù)模 (DAC) 轉(zhuǎn)換器具有更多的通道數(shù)、更高的速度和性能，同時(shí)還要求更低的功耗預(yù)算、更小的尺寸以及更低的成本。
2012-06-29
集成度 成本 系統(tǒng)
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