【導讀】碳化硅功率器件正在從MOSFET向更高性能的JFET方向延伸，超低導通電阻與高溫可靠性是工業、光伏、航天等場景的核心訴求。至信微電子今日宣布，1200V 5mΩ超低導通電阻SiC JFET系列產品已完成核心客戶端驗證，正式進入批量供貨。這是繼年初量產1200V 260mΩ、650V 140mΩ JFET之后，該公司在SiC JFET產品線上邁出的關鍵一步，也是國內首次實現5mΩ級SiC JFET的產業化供貨。
高性能，高可靠
該系列產品通過解決了大尺寸芯片良率不高和導通電阻偏大問題，集高耐壓、超低導通損耗、極速開關響應與優異高溫穩定性于一身，性能參數全面比肩國際主流器件。其采用全結型柵極結構，徹底規避了傳統MOSFET中柵氧界面陷阱引起的閾值漂移風險，在150℃以上高溫、強輻射等嚴苛工況下仍能保持穩定工作，尤其適用于工業電機驅動、光伏逆變器、充電樁、航空航天等高可靠性電力電子場景。
雙線布局，夯實技術底座
此次突破，建立在至信微深厚的技術積淀之上。公司此前已率先推出1200V 7mΩ及750V 5mΩ碳化硅MOSFET，產品良率穩定超過90%，在新能源汽車、光伏儲能、工業電源等領域獲得頭部客戶規模化應用。至此，至信微成為國內同時具備SiC MOSFET與SiC JFET雙產品線的功率半導體企業，構筑起從SiC MOS到SiC JFET的完整高性能器件矩陣。
SiC JFET市場概況
當前，全球SiC JFET市場正迎來爆發式增長——2025年全球銷售額達30.83億元，預計2032年將突破56.96億元。國際巨頭如英飛凌亦于今年6月宣布擴展其CoolSiC JFET系列，瞄準AI數據中心與工業應用。至信微此番率先實現1200V 5mΩ量產出貨，不僅填補了國內超低阻JFET的產業化空白，更在關鍵器件自主供給與供應鏈安全層面提供了堅實支撐。
結論
至信微此次量產的1200V 5mΩ SiC JFET，將導通電阻推至業界領先水平，同時依托全結型柵極結構規避了傳統MOSFET的閾值漂移問題，在高溫、強輻射等嚴苛場景下具備天然可靠性優勢。結合公司此前已量產的SiC MOSFET產品線，至信微是國內為數不多同時覆蓋SiC MOS和SiC JFET雙產品線的功率半導體企業。當前全球SiC JFET市場正快速增長，英飛凌等國際廠商也在加大布局，至信微率先實現超低阻JFET批量出貨，對國內關鍵功率器件供應鏈的自主配套具有重要意義。
