【導讀】隨著AI終端、邊緣計算、高性能計算及車載電子產業快速迭代，市場對內存帶寬、傳輸穩定性與能效表現的要求持續升級。JEDEC全新LPDDR6內存標準的落地，推動低功耗內存技術邁入全新迭代周期。作為行業核心接口IP供應商，新思科技率先完成技術突破，在臺積電N2P先進工藝下，實現LPDDR6內存10.67Gbps主流速率的穩定讀寫驗證，獲取優質信號眼圖，同時完成14.4Gbps超高速率技術儲備。此次實測驗證成果，標志著LPDDR6技術已具備成熟的芯片落地條件，為移動終端、智能汽車、AI算力設備等多領域產品升級夯實了底層技術根基，也加速了全行業LPDDR6生態規?；涞剡M程。
作為行業領先的接口 IP 供應商，新思科技近期完成了一項重要驗證：LPDDR6/5X/5 PHY IP 在首批 LPDDR6 SDRAM 樣片支持的最高速率——10.67Gbps 下，實現了穩定可靠的讀寫傳輸，并獲得清晰且開口良好的眼圖。這一成果不僅驗證了其出色的信號完整性和訓練算法穩定性，也證明該 IP 已經具備支持下一代移動設備、AI 終端及嵌入式系統的硅實現能力。
圖1：LPDDR6 SDRAM 在 10.67Gbps 速率下的測試結果
這項成果延續了新思科技此前在臺積公司（TSMC）N2P 工藝節點上成功完成 LPDDR6 IP 芯片點亮的重要進展，為產業生態更早導入 LPDDR6 技術奠定了堅實基礎。
新思科技接口 IP 工程高級副總裁 Dino Toffolon 表示：“LPDDR6 IP 在臺積公司 N2P 工藝上的成功芯片點亮，是推動下一代內存技術落地的重要里程碑。通過提供經過驗證且值得信賴的 IP 解決方案，我們能夠幫助客戶更快開發面向移動終端、邊緣 AI 及高性能計算等應用的創新產品?！?/p>
從 IP 驗證到先進工藝實現，一系列成果充分證明，LPDDR6 已從傳統移動存儲技術演進為支撐 AI、高性能計算、汽車電子、邊緣計算和消費電子等多元市場的重要內存基礎設施。
在 10.67Gbps 下實現穩定可靠運行
驗證結果表明，新思科技 LPDDR6/5X/5 PHY IP 在 10.67Gbps 單引腳速率下實現了穩定可靠的運行，具體表現包括：
在完成完整 PHY 訓練后，讀寫眼圖保持清晰且開口良好，同時具備充足的水平裕量和垂直裕量；
通過接收端判決反饋均衡（Rx DFE）以及片上終端匹配（ODT）參數優化，有效提升了時序裕量和抖動裕量；
在新思科技測試平臺及 2 納米工藝測試芯片上，仿真結果、信道模型分析與實際硅測試結果之間表現出良好的一致性，驗證了設計模型和實現方案的準確性。
展望更高數據速率：邁向 14.4Gbps 的 LPDDR6
雖然新思科技已經在首批 LPDDR6 SDRAM 樣片支持的最高速率——10.67Gbps 下完成了互操作性驗證，但這并非 LPDDR6 IP 性能的終點。借助 IP 內建的自動測試設備（ATE）測試能力，新思科技進一步驗證了該內存接口 IP 可支持高達 14.4Gbps 的數據傳輸速率，如圖 2 所示。
這些測試結果表明，新思科技 LPDDR6 IP 已經為未來更高速率的 LPDDR6 產品做好準備。隨著存儲器廠商陸續推出性能更高的 LPDDR6 DRAM 器件，該 IP 有望平滑支持更高帶寬需求，為下一代移動終端、AI 應用、汽車電子和高性能計算平臺提供堅實的內存接口基礎。
圖2：新思科技 LPDDR6 IP 通過 ATE 測試驗證可支持高達 14.4Gbps 的數據傳輸速率
LPDDR6 引入了一系列重要創新，在提升單位功耗性能的同時，進一步增強了系統擴展能力，使其能夠滿足從移動終端到 AI 計算等不同應用場景的需求：
全新雙通道架構（2×24-bit）
采用雙 24 位通道組織方式，在提升有效數據寬度的同時提高數據傳輸效率，為高帶寬應用提供更強支撐。
速率路線圖最高可達 14.4Gbps
LPDDR6 規劃支持最高 14.4Gbps 的數據傳輸速率，相比 LPDDR5X 可實現約兩倍的有效帶寬提升，為下一代 AI 和高性能計算應用提供更充裕的內存帶寬。
DVFSL動態電壓頻率調節機制
引入低功耗動態電壓頻率縮放（DVFSL）技術，可根據實際工作負載動態調整帶寬和功耗，在性能與能效之間實現更優平衡。
更完善的可靠性保護機制
集成片上 ECC（On-Die ECC）、命令/地址奇偶校驗（CA Parity）以及激活追蹤（Activation Tracking）等功能，有效提升系統可靠性，并增強對 Row Hammer 問題的防護能力。
面向多元化市場應用設計
LPDDR6 已不再局限于移動終端，而是從架構設計之初便面向高性能計算（HPC）、人工智能（AI）、汽車 ADAS、消費電子以及嵌入式邊緣設備等廣泛應用領域進行優化。
業界觀點：共迎 LPDDR6 時代
美光（Micron）云端內存事業部生態發展總監 Gayathri Rao Subbu 表示：“LPDDR6 充分發揮了美光在低功耗 DRAM 領域的領先優勢，并結合先進的 NAND 和 SSD 技術，重新定義了內存與存儲之間的協同方式。美光與新思科技在 LPDDR 協同仿真、樣片支持和技術資料共享等方面持續合作，進一步強化了雙方的伙伴關系。隨著美光 LPDDR 創新技術持續提升帶寬并實現超低功耗，下一代解決方案將獲得更優異的性能和能效。結合新思科技等生態合作伙伴的技術進展，這些突破將推動 LPDDR6 在整個行業中的順利導入和規?；瘧??！?/p>
三星（Samsung）產品規劃團隊副總裁兼負責人 Jangseok Choi 表示：“隨著新思科技 LPDDR6 IP 完成技術準備，三星期待能夠加快 LPDDR6 產品導入市場，并讓消費電子設備、數據中心以及汽車行業客戶充分體驗三星 LPDDR6 帶來的高性能和低功耗優勢。”
SK 海力士（SK hynix）DRAM 產品規劃副總裁 Sangkwon Lee 表示：“旗艦智能手機、汽車系統以及端側 AI 設備對性能的需求不斷提升，使 LPDDR6 成為低功耗 DRAM 發展的重要一步。新思科技在推動這一新標準落地方面發揮了重要作用，支持依賴 SK 海力士內存產品的各類應用順利向 LPDDR6 過渡?！?/p>
新思科技如何加速 LPDDR6 生態發展
為了推動 LPDDR6 的產業化導入，新思科技提供完整的 IP 解決方案，涵蓋控制器、PHY、安全 IP 以及驗證 IP，幫助客戶更快開展 LPDDR6 產品開發。
基于先進 GAA 工藝技術完成的早期硅驗證表明，新思科技 LPDDR6 IP 能夠在 10.67Gbps 速率下穩定運行，進一步增強了業界對 LPDDR6 生態成熟度的信心。
在 10.67Gbps 單引腳速率下實現清晰且開口良好的讀寫眼圖，不僅為 LPDDR6 系統級驗證奠定了堅實基礎，也再次體現了新思科技在下一代內存接口 IP 領域的技術領導力。
隨著高性能計算（HPC）、人工智能（AI）、汽車電子、消費電子以及邊緣計算等市場不斷追求更高帶寬，同時需要嚴格控制功耗，LPDDR6 將在性能與能效之間實現更優平衡，并成為下一代智能計算平臺的重要內存技術。
結論
本次新思科技LPDDR6 IP多速率實測驗證，是行業推進新一代內存技術商用落地的關鍵里程碑。依托成熟的PHY IP設計、優化的均衡與終端匹配技術，產品在主流10.67Gbps速率下實現穩定可靠運行，實測數據與仿真模型高度契合，充分印證了方案的穩定性與實用性。同時，技術層面已完成14.4Gbps超高帶寬的能力儲備，可適配未來高端設備的性能升級需求，具備極強的技術前瞻性與兼容性。
