【導(dǎo)讀】安森美（onsemi，納斯達(dá)克：ON）正式發(fā)布基于溝槽架構(gòu)的第四代碳化硅平臺(tái) EliteSiC? M4。對(duì)比上一代產(chǎn)品，該平臺(tái)最高實(shí)現(xiàn) 30% 功率密度提升、35% 損耗下降，比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)獲得顯著優(yōu)化，同時(shí)延續(xù)安森美碳化硅經(jīng)過(guò)實(shí)車(chē)驗(yàn)證的可靠性，全球配套安森美 SiC 器件的車(chē)輛累計(jì)行駛里程超 160 億英里。EliteSiC M4 面向 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等能源基礎(chǔ)設(shè)施，在不犧牲可靠性的前提下壓縮系統(tǒng)體積、降低散熱壓力。
新聞要點(diǎn)：
EliteSiC? M4以更高的功率密度和更低的損耗，助力客戶(hù)提升性能和效率，同時(shí)優(yōu)化系統(tǒng)尺寸與熱管理
延續(xù)安森美在碳化硅領(lǐng)域經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，全球搭載安森美碳化硅產(chǎn)品的車(chē)輛已經(jīng)過(guò)實(shí)際上路驗(yàn)證，累計(jì)行駛里程超過(guò)160億英里
EliteSiC? M4 750 V汽車(chē)牽引裸片現(xiàn)已供貨，更多電壓規(guī)格預(yù)計(jì)于2027年推出，最高可達(dá)1200 V
安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）今日推出EliteSiC? M4第四代碳化硅（SiC）平臺(tái)，旨在為下一代電源系統(tǒng)樹(shù)立新的性能標(biāo)桿。EliteSiC M4憑借業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能，為客戶(hù)提供更大的設(shè)計(jì)自由度，可將功率密度和效率提升達(dá)30%，損耗降低達(dá)35%，從而賦能更高效率、更高功率密度的電動(dòng)汽車(chē)、AI數(shù)據(jù)中心和工業(yè)應(yīng)用系統(tǒng)。
“電力需求的增長(zhǎng)速度超過(guò)相關(guān)物理基礎(chǔ)設(shè)施的擴(kuò)展速度。下一代電源系統(tǒng)需要在更小空間內(nèi)，以更高效率輸送更多電力，”安森美電源解決方案事業(yè)群總裁Achyut Shah表示，“全球搭載安森美碳化硅產(chǎn)品的車(chē)輛已經(jīng)過(guò)實(shí)際上路驗(yàn)證，累計(jì)行駛里程超過(guò)160億英里。EliteSiC M4在這一可靠性基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提供客戶(hù)所需的性能，幫助他們重新優(yōu)化功率、效率、尺寸與成本之間的權(quán)衡。”
在現(xiàn)實(shí)工況約束下，實(shí)現(xiàn)更高功率輸出
AI、電氣化和能源基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展，給電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了一個(gè)共同挑戰(zhàn)：在顯著提升功率的同時(shí)，避免系統(tǒng)尺寸、能量損耗和冷卻需求同比例增加。EliteSiC M4解決了這一挑戰(zhàn)，無(wú)需大幅改變現(xiàn)有系統(tǒng)條件，也能提升功率和效率，為客戶(hù)擴(kuò)展AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)系統(tǒng)提供更大的靈活性。
在主要目標(biāo)市場(chǎng)中，EliteSiC M4將這些技術(shù)進(jìn)步轉(zhuǎn)化為明確的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)：
AI數(shù)據(jù)中心：提升算力規(guī)模，而無(wú)需同比例擴(kuò)展電力基礎(chǔ)設(shè)施。更高功率密度的電力轉(zhuǎn)換可幫助數(shù)據(jù)中心從每一兆瓦電力中獲得更多算力，在最大限度提升容量的同時(shí)，減少單位算力所需的配套基礎(chǔ)設(shè)施。
電動(dòng)汽車(chē)：釋放電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的更高性能。更緊湊、更高效的牽引逆變器可幫助汽車(chē)制造商增加車(chē)輛續(xù)航里程。
能源基礎(chǔ)設(shè)施：充分利用每一單位能源。更高效率、更高功率密度的電力轉(zhuǎn)換有助于降低光伏、儲(chǔ)能及其他高壓系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換損耗。
“隨著車(chē)輛功率不斷提高，如何兼顧牽引逆變器的效率、熱性能、功率密度和可靠性，也成為越來(lái)越大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，”舍弗勒集團(tuán)（Schaeffler AG）電機(jī)控制業(yè)務(wù)副總裁Harald Hartel表示，“更高的效率和功率密度可以為我們提供更大的設(shè)計(jì)靈活性，從而針對(duì)續(xù)航里程、熱性能和空間布局進(jìn)一步優(yōu)化牽引逆變器。隨著電動(dòng)化動(dòng)力總成的要求不斷提高，這些因素也日益重要。”
面向更高功率密度和效率的新架構(gòu)
EliteSiC M4提升導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)不犧牲可靠性。與上一代相比，主要改進(jìn)包括：
比導(dǎo)通電阻（RSP）改善：比導(dǎo)通電阻降低20%至50%，同時(shí)支持更快的開(kāi)關(guān)速度
開(kāi)關(guān)損耗更低：開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)在硬開(kāi)關(guān)條件下提升67%，在軟開(kāi)關(guān)條件下提升50%，從而支持緊湊型電源設(shè)計(jì)
廣泛的封裝靈活性：支持現(xiàn)有封裝，包括頂部冷卻表面貼裝封裝和大功率模塊
面向嚴(yán)苛應(yīng)用的高可靠性：該平臺(tái)面向嚴(yán)苛運(yùn)行環(huán)境設(shè)計(jì)，支持185°C及以上溫度的認(rèn)證要求，可用于高壓汽車(chē)和航天應(yīng)用
供貨
用于汽車(chē)牽引逆變器的EliteSiC M4 750 V裸片：現(xiàn)已供貨。
更多電壓規(guī)格預(yù)計(jì)于2027年陸續(xù)推出，最高可達(dá)1200 V。
更多信息：
關(guān)于安森美（onsemi）
安森美（onsemi, 納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）提供智能電源和智能感知技術(shù)，推動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)及人工智能數(shù)據(jù)中心等終端市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)電氣化升級(jí)，并提升能效、安全性和自動(dòng)化水平。憑借高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合，安森美助力客戶(hù)攻克復(fù)雜的挑戰(zhàn)，以實(shí)現(xiàn)更高能效、更優(yōu)性能和更低的系統(tǒng)成本，攜手共建一個(gè)更安全、更清潔、更節(jié)能的世界。
結(jié)論
EliteSiC M4 是安森美在碳化硅賽道的又一代平臺(tái)化升級(jí)，它建立在 160 億英里的車(chē)載實(shí)車(chē)可靠性基礎(chǔ)之上，以溝槽架構(gòu)為載體，同步優(yōu)化導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)損耗，把功率密度、轉(zhuǎn)換效率推上新臺(tái)階。在 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、能源基礎(chǔ)設(shè)施三大核心場(chǎng)景，該平臺(tái)幫助設(shè)計(jì)人員在有限空間內(nèi)提升功率輸出，緩解冷卻壓力，優(yōu)化功率、效率、體積與成本的權(quán)衡。同時(shí)平臺(tái)保留良好的封裝兼容性，支持頂部冷卻貼裝與大功率模塊方案，降低客戶(hù)移植門(mén)檻。750V 牽引裸片率先落地，后續(xù) 1200V 等規(guī)格持續(xù)擴(kuò)容，將進(jìn)一步拓寬碳化硅在高壓電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用邊界，支撐電氣化與算力基礎(chǔ)設(shè)施的低碳化升級(jí)。
