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借助安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)——第3部分：提升功能安全性能
對(duì)安全功能電路進(jìn)行首次失效模式、影響與診斷分析(FMEDA)后，結(jié)果只有兩種。第一種結(jié)果是系統(tǒng)完整性等級(jí)(SIL)要求得到滿足，第二種結(jié)果是要求未能滿足。對(duì)于后者，要在不進(jìn)行重大架構(gòu)變更的情況下解決問題，系統(tǒng)集成商可以提高診斷覆蓋率、調(diào)整運(yùn)行條件和/或采用額外安全措施。ADI公司安全應(yīng)用筆記...
2026-06-12
安全設(shè)計(jì) 安全性能 ADI 失效模式
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摩爾線程MusaCoder開源：首個(gè)基于國產(chǎn)全功能GPU全棧訓(xùn)練的代碼大模型
近日，摩爾線程正式發(fā)布并開源面向GPU底層算子生成的專用代碼大模型MusaCoder。這是業(yè)內(nèi)首個(gè)基于國產(chǎn)GPU算力底座完成全鏈路訓(xùn)練與驗(yàn)證的開源代碼大模型，其完整后訓(xùn)練流程均在基于MTT S5000構(gòu)建的夸娥智算集群上完成。在KernelBench嚴(yán)格評(píng)測中，MusaCoder-27B-RL以O(shè)verall Pass@8 93.2%、Avg.@8 88....
2026-06-11
摩爾線程 GPU AI
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借助安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)——第2部分：FMEDA數(shù)據(jù)導(dǎo)入
在完成合理性校驗(yàn)，確認(rèn)器件功能安全(FS)失效率、失效模式分布(FMD)及引腳失效模式與影響分析(FMEA)的推導(dǎo)假設(shè)成立后，系統(tǒng)集成商下一步需將這些數(shù)據(jù)導(dǎo)入其系統(tǒng)的失效模式、影響與診斷分析(FMEDA)中。ADI的安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記提供了多種計(jì)算失效率、裸片F(xiàn)MD及引腳FMEA的方法。系統(tǒng)集成商可根據(jù)自身在...
2026-06-10
應(yīng)用筆記 安全設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù)導(dǎo)入
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碳化硅賦能浪潮教程：SiC Cascode JFET與SiC Combo JFET深度解析
碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價(jià)值。我們已經(jīng)介紹了《碳化硅如何革新電源設(shè)計(jì)、工業(yè)與服務(wù)器電源》《三種替代Si和SiC MOSFET的...
2026-06-10
碳化硅 電阻 安森美
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助力未來創(chuàng)新：適用于1/4磚電源的混合轉(zhuǎn)換器——第1部分：優(yōu)勢
將54 V電壓轉(zhuǎn)換為合適的12 V電壓是一項(xiàng)頗具挑戰(zhàn)性的任務(wù)，需要新型轉(zhuǎn)換器拓?fù)鋪黹_發(fā)改良的高性能電源。此外，為了適應(yīng)最新的數(shù)據(jù)中心和超大規(guī)模架構(gòu)，尺寸必須很小，因此1/4磚的小尺寸規(guī)格是理想選擇。本文將探討ADI公司的參考設(shè)計(jì)如何解決效率、功率損耗、散熱、通用封裝設(shè)計(jì)等關(guān)鍵問題，從而在同...
2026-06-08
ADI 電源 轉(zhuǎn)換器
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微信截圖_20260527160932.png "4300萬家庭正在被一顆RISC-V芯片“重新定義安全規(guī)則”")
4300萬家庭正在被一顆RISC-V芯片“重新定義安全規(guī)則”
過去十年，RISC-V更多被視為“架構(gòu)層的開放替代方案”，但在2024—2026這一階段，產(chǎn)業(yè)敘事正在發(fā)生明顯變化：RISC-V不再只是“可選架構(gòu)”，而開始進(jìn)入真實(shí)行業(yè)系統(tǒng)的主控路徑——尤其是在能源計(jì)量、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)安全等對(duì)成本敏感但對(duì)可靠性要求極高的場景中。
2026-05-27
RISC-V芯片 微五科技
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聯(lián)合電子蕪湖工廠二期啟用儀式
2026年5月25日，聯(lián)合電子舉行蕪湖二期啟用儀式，這是聯(lián)合電子新能源汽車產(chǎn)業(yè)征途上的又一重要里程碑，更是聯(lián)合電子深耕市場、搶占未來發(fā)展的關(guān)鍵舉措。
2026-05-27
聯(lián)合電子
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微信截圖_20260423143939_kp2zuJm.png "突破！三安光電低電阻碳化硅襯底為服務(wù)器電源")
突破！三安光電低電阻碳化硅襯底為服務(wù)器電源"減負(fù)"
近日，三安光電旗下湖南三安歷經(jīng)三年專項(xiàng)攻堅(jiān)，成功實(shí)現(xiàn)低電阻碳化硅襯底技術(shù)重大突破，成為全球少數(shù)掌握該項(xiàng)核心技術(shù)的企業(yè)，標(biāo)志著三安光電在核心半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力持續(xù)夯實(shí)，為AI服務(wù)器電源、新能源汽車等高端應(yīng)用領(lǐng)域提供關(guān)鍵支撐。
2026-05-26
三安光電 碳化硅襯底 服務(wù)器電源
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微信截圖_20260421115925_8ynz9tj.png "Bourns 將于上海國際汽車技術(shù)及零部件博覽會(huì) 展示電感式轉(zhuǎn)向感測技術(shù)")
Bourns 將于上海國際汽車技術(shù)及零部件博覽會(huì) 展示電感式轉(zhuǎn)向感測技術(shù)
2026年5月26日 –隨著電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）系統(tǒng)與線控轉(zhuǎn)向（Steer-by-Wire）架構(gòu)快速發(fā)展，車輛對(duì)于位置與扭矩量測的精準(zhǔn)度與可靠性提出更高要求。全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)廠商 Bourns 宣布，將于 2026 年 6 月 3 日至 5 日 參加在中國上海新國際博覽中心舉辦的 ATC Shanghai 2026 國際汽車底盤系統(tǒng)與技...
2026-05-26
Bourns 博覽會(huì) 感測技術(shù)
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