【導(dǎo)讀】在 IC China 2026 上，長鑫科技提出算力超級周期邁入分層時代的判斷，并集中展出服務(wù)器、手機、汽車三大場景內(nèi)存產(chǎn)品。展品覆蓋 DDR5 RDIMM/MRDIMM、全球首發(fā)量產(chǎn) LPDDR6、通過 ASIL D 認證的車規(guī)內(nèi)存，依托 G5 第五代 DRAM 工藝平臺，搭配高強度研發(fā)投入，面向智算、端側(cè) AI、智能汽車提供差異化存儲方案，持續(xù)夯實國產(chǎn) DRAM 算力底座。
在11月12日開幕的第二十三屆中國國際半導(dǎo)體博覽會（IC China 2026）上，長鑫科技圍繞對AI時代的深度洞察，攜AI時代三大場景的內(nèi)存產(chǎn)品首次集中展示，系統(tǒng)呈現(xiàn)了覆蓋核心應(yīng)用領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)品矩陣及交付能力。
算力超級周期邁入“分層時代”，長鑫構(gòu)筑全場景產(chǎn)品矩陣
長鑫科技副總裁駱曉東在IC China發(fā)表的演講中指出，受全球算力需求激增影響，超級周期正在進入一個全新的“分層時代”。這種分層首先體現(xiàn)在細分市場的增長分化上：服務(wù)器市場需求占比已超50%，優(yōu)先流向AI大模型、智算中心等高價值場景；汽車市場預(yù)計到2030年復(fù)合增速約30%；手機、PC等消費電子市場AI功能滲透加快，但仍具明顯的周期波動特征。
與此同時，不同AI場景對內(nèi)存的需求也呈現(xiàn)出深刻的分層。大模型推理解碼階段的瓶頸集中在內(nèi)存帶寬，長文本前綴處理階段算力約束更為突出，而超大參數(shù)多卡訓(xùn)練場景則對內(nèi)存容量和互聯(lián)能力提出極高要求。細分市場增長與內(nèi)存需求的“雙重分層”，意味著存儲產(chǎn)業(yè)競爭正從單一參數(shù)比拼，全面轉(zhuǎn)向全場景產(chǎn)品布局能力的競爭。
基于這些洞察，長鑫不斷豐富產(chǎn)品矩陣，拓展細分市場，以差異化的存儲方案精準(zhǔn)承接各層級的爆發(fā)式需求。
三大場景首展重磅展示，多維產(chǎn)品承接AI時代核心需求
承接上述全場景產(chǎn)品矩陣的布局，此次IC China展會上，長鑫以“服務(wù)器、手機、汽車”三大場景為主線，首次對最新核心內(nèi)存產(chǎn)品進行了集中展示。
首先在算力需求最密集的服務(wù)器領(lǐng)域，面向大容量、高可靠的訴求，RDIMM產(chǎn)品迎來了結(jié)構(gòu)性紅利。駱曉東在論壇現(xiàn)場同步了長鑫DDR5 RDIMM和MRDIMM產(chǎn)品線的最新進展：DDR5顆粒已完成從24Gb到32Gb的迭代，RDIMM模組端實現(xiàn)了32GB到128GB全主流容量段5600Mbps到8000Mbps全速率檔位全覆蓋；同時MRDIMM覆蓋128和192GB等容量點，速率最高達12800Mbps，全面賦能數(shù)據(jù)中心產(chǎn)業(yè)升級。
在AI快速滲透的端側(cè)場景——智能手機中，長鑫展出了全球首發(fā)量產(chǎn)的LPDDR6產(chǎn)品。該產(chǎn)品最高傳輸速率達12800Mbps，較上一代LPDDR5X帶寬提升60%，功耗降低20%；單顆粒容量16Gb，芯片最高容量16GB。目前，長鑫LPDDR6已首批搭載于小米18 Fold折疊旗艦手機，實現(xiàn)全球LPDDR6產(chǎn)品首次落地商用，適配主流旗艦終端輕薄化、集成化設(shè)計需求，顯著提升端側(cè)AI運行效率。此外，長鑫LPDDR5X已落地全球首款A(yù)I智能體手機，賦能“聽得懂、能干活、記得住、夠安全”的AI交互體驗。
而在智能汽車場景中，車規(guī)級內(nèi)存已成為影響智能化體驗、安全性與可靠性的核心要素，車載內(nèi)存也是行業(yè)公認的高壁壘賽道，需承受寬幅溫度波動、振動等復(fù)雜工況。本次長鑫在汽車場景下同步展出了車載內(nèi)存方案。目前，長鑫已實現(xiàn)LPDDR4X、LPDDR5X車載內(nèi)存的規(guī)模量產(chǎn)，并正加快 LPDDR6 在車載場景的應(yīng)用創(chuàng)新與拓展。長鑫最新的車規(guī)級LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品已通過AEC-Q100 Grade 2等權(quán)威認證，并獲得 ISO 26262 ASIL D 產(chǎn)品功能安全認證，相關(guān)管理體系涵蓋 ISO 9001、IATF 16949 及 QC 080000，為智能汽車提供可靠的安全護航。
研發(fā)蓄力，錨定高附加值賽道
密集突破技術(shù)迭代的背后，是持續(xù)加大的研發(fā)投入。長鑫2026年第三季度報告顯示，其前三季度研發(fā)投入110.71億元，同比增長超73%。高強度研發(fā)投入正是不斷提升產(chǎn)品競爭力和推動收入結(jié)構(gòu)向高附加值領(lǐng)域轉(zhuǎn)化的引擎。
對研發(fā)的高度重視也在長鑫的技術(shù)表現(xiàn)與業(yè)務(wù)上得到印證：
長鑫在本次展會上還展出了已量產(chǎn)的第五代技術(shù)平臺（G5）。該平臺依托四重曝光工藝，將內(nèi)存陣列有源區(qū)半間距微縮至11.95納米，比肩全球頂尖水平的DRAM量產(chǎn)制程，每片晶圓產(chǎn)出裸片數(shù)量較上一代平臺提升至少50%，大幅提升產(chǎn)品競爭力與經(jīng)濟效益。
根據(jù)長鑫三季報數(shù)據(jù)顯示，前三季度DDR系列收入占比持續(xù)上升，核心驅(qū)動力來自DDR5自2024年底規(guī)模量產(chǎn)后的銷量爬坡。市場分析認為，這意味著長鑫在保持移動端LPDDR基本盤的同時，正在服務(wù)器與PC所代表的高附加值計算內(nèi)存市場打開增量空間。
隨著AI時代算力需求的不斷攀升，業(yè)內(nèi)預(yù)計存儲仍將持續(xù)處于供不應(yīng)求狀態(tài)。長鑫在三季度業(yè)績交流會上表示，目前公司長協(xié)相關(guān)工作進展順利，已與多家頭部客戶協(xié)商長期供貨協(xié)議，以鎖定中長期確定性需求。在DRAM供需偏緊、AI算力需求持續(xù)牽引的行業(yè)窗口期，長鑫正以對“分層時代”的深刻洞察為指引，通過覆蓋AI時代三大場景的全矩陣差異化存儲方案，持續(xù)為全球算力的釋放提供堅固的存儲底座。
結(jié)論
長鑫科技在 IC China 2026 的展出，清晰展現(xiàn)其從移動端 DRAM 基本盤，向服務(wù)器、車載等高附加值市場拓展的戰(zhàn)略路徑。面對算力分層帶來的差異化需求，公司依托 G5 先進量產(chǎn)平臺、豐富的 DDR5 與 LPDDR 產(chǎn)品線，同時覆蓋智算中心、端側(cè) AI 手機、功能安全車規(guī)三大高增長賽道。疊加持續(xù)高研發(fā)投入與長期供貨協(xié)議布局，長鑫正以全場景內(nèi)存方案承接 AI 算力需求，持續(xù)提升國產(chǎn) DRAM 在全球存儲供應(yīng)鏈中的供給能力。
